❶ 单片机原理与应用技术的内容简介
《单片机原理与应用技术》针对目前最通用的MCS-51单片机，在汇编语言的基础上，增加了目前最流行的C51程序设计语言，内容主要包括：单片机芯片的硬件原理和结构、汇编语言指令系统和程序设计、C51的程序设计、单片机内部资源(包括中断、定时/计数器、串行口)、单片机系统扩展(包括存储器扩展、I/O扩展)及功能扩展(包括键盘、显示器、A/D及D/A转换)、KeilC集成调试软件及Proteus仿真软件的使用介绍等。
《单片机原理与应用技术》的特点是通过汇编语言和C语言穿插进行讲述，实例较多，且很多例子都给出了汇编语言和C语言的对照程序，使读者能同时学习汇编语言和C语言，并使熟悉汇编语言的读者能更快地学好单片机C51程序设计。
《单片机原理与应用技术》可作为高等院校电类、机械类等专业本科生的教材，也可作为函授教材或培训班教材。另外，《单片机原理与应用技术》可供从事单片机应用产品研发的工程技术人员及单片机爱好者参考。
❷ c51单片机原理及应用重点
1、单片机内部资源
STC89C52：8KFLASH、512字节RAM、32个IO口、3个定时器、1个UART、8个中断源
（1）Flash（硬盘）——程序存储空间 —— 擦写10万次，断电数据不丢失，读写速度慢
（2）RAM（内存）——数据存储空间 —— 断电数据丢失，读写速度快，无限次使用
（3）SFR —— 特殊功能寄存器
2、单片机最小系统
51单片机的内部组成及应用原理解析
最小系统：最少组件组成单片机可以工作的系统。
三要素：
（1）、 电源电路：5V
（2）、 晶振电路：11.0592MHZ、两个30PF
（3）、 复位电路：
P0：开漏输出，必须加上拉电阻
准双向口：
强推挽输出：电流驱动能力强
高阻态
上下拉电阻：上拉电路就是将不确定的信号通过一个电阻拉到高电平，同时限流作用。下拉电阻就是下拉到低电平。
上下拉电阻选取：从降低功耗方面考虑应该足够大，因为电阻越大，电流越小；驱动能力来看，小电阻
3、硬件基础知识
（1）、电磁干扰（EMI）——静电放电（ESD）、快速瞬间脉冲群（EFT）、浪涌（Surge）
（2）、去耦电容的使用
低频滤波电容，平常应用最多的事钽电容，电解电容，陶瓷电容，起到去除电源低频纹波，稳定电源的作用。
高频滤波电容，电容附近，通常用104电容来进行去除高频干扰。
（3）、三极管（PNP，NPN） b，c，e --- 电压驱动
控制应用
驱动应用
4、LED发光二极管——电流驱动
51单片机的内部组成及应用原理解析
通常红色贴片LED， 靠电流驱动，电压1.8V~2.2V，电流1~20mA，在1~5mA亮度有所变化，5mA以上亮度基本不变。
VCC 电压是 5V，发光二极管自
身压降大概是 2V，那么在右边 R34 这个电阻上承受的电压就是 3V。
R = U/I —— 1~20mA —— R：150~3K
5、C语言基础
（1）、基本运算符
+ - * / % ++ -- = == ！= += -= 《《 》》
❸ MCS51系列单片机的内部资源有哪些说出8031、8051和8751的区别
内部资源有：
1、2个定时器
2、内一个串口
3、128B的RAM
4、4个IO口
5、8位激烂兄数据总线
6、16位地址总线
7、2个外部中断
8031、8051和8751的区别：
8031：没有容ROM，只能扩展ROM才能写程序。
8051：有4K的ROM。
8751：有4K的EPROM。
(3)单片机的内部资源主要有哪些扩展阅读：
8031、8051和8751的特点：
1、8031的特点：8031芯片中没有程序存储器ROM，用户在使用时需要增加程序存储器和一块历颤逻辑电路373。大部分外部程序存储器是EPROM的2764系列。如果用户想修改写在EPROM上的程序，在写之前必须用一个特殊的紫外线灯来擦拭它。写入外接程序内存的程序代码几乎没有隐私。
2、8051的特点：8051芯片中有4K ROM，不需要外存，373，体现了“单片机”的简单性。但是不能把你的程序烧录到它的Rom中，必明袭须把它交给芯片厂来烧录，是一次性的。而且你和芯片厂将来都不能重写它的内容。
3、8751的特点：8751与8051基本相同，但8751中有4K的EPROM。用户可以在单片机的EPROM中编写自己的程序，进行现场试验和应用。EPROM的重写也需要用紫外线灯擦除一段时间，然后烧掉。
❹ 51单片机的内部资源包括哪些
内部资源应该就是中断系统，串口接口以及定时计数器。
其中，中断系统也就是CPU内部或外部发生某个事件，需要暂时终止程序运行优先去处理。串口接口主要用于与其它设备通讯连接。定时计数器用于时间的设定，数值的计算等
❺ STC89C52，51增强型单片机内部资源问题
关于STC89C52：
1、STC89C52只有512字节的的RAM，包括2部份，一是256字节的内部RAM，二是256字节的外部RAM；STC89C54以上的芯片才有1K的RAM（内256＋外1024）。
2、1K的EEPROM（应为2K）出厂时内置有支持串行下载功能的代码，配合官方下载软件完成代码的串口下载。这个区域在实际应用当中也可用于可保存断电后不能丢失的数据，但实际操作上不能像RAM那样直接读写，需要通过专门的寄存器操作来完成读写。
3、EEPROM不是ROM，也不是RAM，EEPROM也没有用作RAM--你先这样记，这个问题说起来内容比较多，后面细谈。
4、Flash程序存储器8K就是当ROM用（这句话严格的讲应该说成“Flash程序存储器8K就是当程序存储器用”）：基本上是这样。关于ROM、FALSH后面细说。
是否需要1K的RAM：可在编译完成后观察编译结果，如果能编译成功，应该有类似下面的信息：“program size：data=9.0,xdata=1,code =2345”，其中data的整数部份就是你实际需要的内部RAM字节数，xdata是你实际需要的外部RAM字节数，code是代码长度。你可以根据这个信息选择最合适的STC单片机型号。具体到STC89C52：data<256，xdata<256，code<8192就行
对上述的一些概念补充说明（包括_at_）
1、51单片机的C语言中有个需要关注的概念就是变量或数据的存储模式（PC机是否有类似的情况我不了解）。在C51中的存储模式是data、bdata、idata、pdata、xdata、code共6种：
data、bdata、idata：就是说变量或数据位于单片机的内部RAM中（ST89C52有256字节），访问速度最快。
pdata、xdata：就是说变量或数据位于扩展的外部RAM中（ST89C52内集成了256字节），相对内部RAM访问速度要慢。
code：就是程序代码，位于单片机的程序存储其中（ST89C52内含8192字节）
KEIL C编译时在有个选项叫数据存储模式（Memory Model），如果选择小模式，则程序中的变量一般会放在内部RAM（data）中，选择其它模式则会放在外部RAM（xdata或pdata，采用这两种存储模式的变量在物理上都放在外部RAM中，只是寻址方式有所不同，整体上pdata更快些）；当然，如果在定义变量时就声明了存储模式，编译时会根据声明决定该变量在哪个区。比如：char data flag就是指定将flag放在内部RAM中；char xdata flag _at_0x0000则指定放在外部RAM中，而且地址是0x0000。
"_at_" 用于指定变量在内存中的地址。指定地址的方法优点在于调试方便，比如仿真单步运行时可以直接到该地址去更直观的观察变量的实际变化情况，若不指定则编译器会自己决定放在什么地方，只能通过.M51文件去获取该变量的地址了。其缺点则是容易出错，由于人为的因素，可能会成各变量的地址重叠。所以实际应用中一般都不指定地址，编译器会自动安排的，除非是特殊要求。
这里针对内部RAM和外部RAM再说几句：早先的单片机（8031、8032）外部RAM和程序存储器都需要通过P0口P2口来扩展的，51单片机本身没有哪怕是1个字节的外部RAM，扩展起来很麻烦。后来随着发展才演变到现在几乎所有的单片机都或多或少的集成了RAM和程序存储器，这样大多数应用只需要设计功能电路就可以了，不需要再去扩展，这就降低了不少成本。
2、关于FLASH、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、RAM
我们现在一般都会把单片机的程序存储器叫ROM，早先的硬件程序代码确实是放在ROM型的器件中（包括电脑的BIOS），所以ROM就是程序、程序就是ROM，大家都理解，就成习惯了。其实这是不对的，真正的ROM现在很少用了。下面就这几个名词解释一下：
RAM：一般都叫内存，特点是读写速度快，但断电后数据丢失（后5种断电后数据不丢失）
ROM：只读存储器。特点是只能读，其内容在芯片出厂时就已经固化，如果有错只能扔掉
PROM：可编程只读存储器。特点是实际应用中只能读，但应用产品生产环节可由用户来完成对芯片的编程，只能写1次，有错的话下场同ROM。
EPROM：可重复擦写的只读存储器。特点是实际应用中只能读，但可以通过紫外线擦除（也有电擦除的），从而实现再编程，只是编程时一般需要将芯片取下来在专用设备上擦除、编程（电擦除的虽然可以在用户系统上实现擦除及编程，但必须设计专门的擦除编程电路）。上世纪90年代基本上都采用的是这种模式，如果你看到某个芯片上有个小玻璃窗，一般就是这种工艺的芯片。紫外线擦除需要15分钟的时间，也很麻烦，而且映像中编程次数只有1000次。
EEPROM：可重复擦写的非易失性存储器。特点是可读可写，且断电后数据不丢失。采取这种工艺的芯片大多数都是通过IIC总线模式来访问的。但其容量一般都不大，适合于数据不多的应用。
FLASH：可重复擦写的非易失性存储器。特点是可读可写，且断电后数据不丢失。与EEPROM的主要区别在于口线更多、存储容量更大、速度更快，还有就是擦写方式不同：EEPROM可按字节擦写，而FLASH是块擦写模式，所以速度上FALSH的读写更快。
STC单片机为什么要采取EEPROM的模式而不采用FLASH我不知道，可能是因为EEPROM相对成本较低，而且可以直接用作非易失性存储，不需要用户外扩EEPROM了。